Tesis doctoral de Enrique Calleja Pardo

Se estudia el proceso tecnologico de fabricacion de diodos schottky sobre silicio asi como la evolucion de la interfase con tratamientos termicos en atmosfera reductora y su relacion con los cambios de las caracteristicas electricas fundamentales.Se obtiene y desarrolla un nuevo tipo de medida apta para obtener informacion de trampas profundas muy proximas a la interfase metal-semiconductor.

 




Datos académicos de la tesis doctoral “Estudio de la interfase en diodos schottky sobre silicio.

  • Título de la tesis:  Estudio de la interfase en diodos schottky sobre silicio.
  • Autor:  Enrique Calleja Pardo
  • Universidad:  Autónoma de Madrid
  • Fecha de lectura de la tesis:  01/01/1980

 

Dirección y tribunal

  • Director de la tesis
    • Juan Piqueras Piqueras
  • Tribunal
    • Presidente del tribunal: Antonio Luque Lopez
    • Fernando Flores Sintas (vocal)
    • Fernando Rueda Sanchez (vocal)
    • Fernando Agullo Lopez (vocal)

 





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